Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor
- Autores
- Cánepa, Horacio Ricardo; Heredia, Eduardo Armando; Nöllmann, I.
- Año de publicación
- 1989
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- Se emplea el método isotérmico de epitaxia en fase vapor para la obtención de capas Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe con un gradiente de composición, sobre sustratos de Cd₁₋ₓMnₓ Te. En esta técnica, la composición superficial y las características electrónicas (tipo de conductividad y movilidad de los portadores) pueden ser controladas ajustando las temperaturas del sustrato y la fuente por un lado y la del Hg por otro. Los crecimientos fueron caracterizados por rayos X (método de Laue), microscopía electrónica de barrido y microsonda electrónica, técnicas de "etching" y efecto Halkl. Los mismos presentan características adecuadas para su posterior aplicación en la fabricación de detectores de IR de tipo fotovoltaico
Fil: Cánepa, Horacio Ricardo. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina
Fil: Heredia, Eduardo Armando. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina
Fil: Nöllmann, I.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina - Fuente
- An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1989;01(01):269-271
- Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
- Repositorio
.jpg)
- Institución
- Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
- OAI Identificador
- afa:afa_v01_n01_p269
Ver los metadatos del registro completo
| id |
BDUBAFCEN_60a71b78a8aa11f20ef5df7adad9541a |
|---|---|
| oai_identifier_str |
afa:afa_v01_n01_p269 |
| network_acronym_str |
BDUBAFCEN |
| repository_id_str |
1896 |
| network_name_str |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
| spelling |
Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vaporCánepa, Horacio RicardoHeredia, Eduardo ArmandoNöllmann, I.Se emplea el método isotérmico de epitaxia en fase vapor para la obtención de capas Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe con un gradiente de composición, sobre sustratos de Cd₁₋ₓMnₓ Te. En esta técnica, la composición superficial y las características electrónicas (tipo de conductividad y movilidad de los portadores) pueden ser controladas ajustando las temperaturas del sustrato y la fuente por un lado y la del Hg por otro. Los crecimientos fueron caracterizados por rayos X (método de Laue), microscopía electrónica de barrido y microsonda electrónica, técnicas de "etching" y efecto Halkl. Los mismos presentan características adecuadas para su posterior aplicación en la fabricación de detectores de IR de tipo fotovoltaicoFil: Cánepa, Horacio Ricardo. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. ArgentinaFil: Heredia, Eduardo Armando. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. ArgentinaFil: Nöllmann, I.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. ArgentinaAsociación Física Argentina1989info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p269An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1989;01(01):269-271reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-10-30T11:18:13Zafa:afa_v01_n01_p269Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-10-30 11:18:14.654Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse |
| dc.title.none.fl_str_mv |
Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor |
| title |
Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor |
| spellingShingle |
Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor Cánepa, Horacio Ricardo |
| title_short |
Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor |
| title_full |
Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor |
| title_fullStr |
Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor |
| title_full_unstemmed |
Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor |
| title_sort |
Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor |
| dc.creator.none.fl_str_mv |
Cánepa, Horacio Ricardo Heredia, Eduardo Armando Nöllmann, I. |
| author |
Cánepa, Horacio Ricardo |
| author_facet |
Cánepa, Horacio Ricardo Heredia, Eduardo Armando Nöllmann, I. |
| author_role |
author |
| author2 |
Heredia, Eduardo Armando Nöllmann, I. |
| author2_role |
author author |
| dc.description.none.fl_txt_mv |
Se emplea el método isotérmico de epitaxia en fase vapor para la obtención de capas Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe con un gradiente de composición, sobre sustratos de Cd₁₋ₓMnₓ Te. En esta técnica, la composición superficial y las características electrónicas (tipo de conductividad y movilidad de los portadores) pueden ser controladas ajustando las temperaturas del sustrato y la fuente por un lado y la del Hg por otro. Los crecimientos fueron caracterizados por rayos X (método de Laue), microscopía electrónica de barrido y microsonda electrónica, técnicas de "etching" y efecto Halkl. Los mismos presentan características adecuadas para su posterior aplicación en la fabricación de detectores de IR de tipo fotovoltaico Fil: Cánepa, Horacio Ricardo. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Fil: Heredia, Eduardo Armando. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Fil: Nöllmann, I.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina |
| description |
Se emplea el método isotérmico de epitaxia en fase vapor para la obtención de capas Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe con un gradiente de composición, sobre sustratos de Cd₁₋ₓMnₓ Te. En esta técnica, la composición superficial y las características electrónicas (tipo de conductividad y movilidad de los portadores) pueden ser controladas ajustando las temperaturas del sustrato y la fuente por un lado y la del Hg por otro. Los crecimientos fueron caracterizados por rayos X (método de Laue), microscopía electrónica de barrido y microsonda electrónica, técnicas de "etching" y efecto Halkl. Los mismos presentan características adecuadas para su posterior aplicación en la fabricación de detectores de IR de tipo fotovoltaico |
| publishDate |
1989 |
| dc.date.none.fl_str_mv |
1989 |
| dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:ar-repo/semantics/articulo |
| format |
article |
| status_str |
publishedVersion |
| dc.identifier.none.fl_str_mv |
https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p269 |
| url |
https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p269 |
| dc.language.none.fl_str_mv |
spa |
| language |
spa |
| dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar |
| eu_rights_str_mv |
openAccess |
| rights_invalid_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar |
| dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
| dc.publisher.none.fl_str_mv |
Asociación Física Argentina |
| publisher.none.fl_str_mv |
Asociación Física Argentina |
| dc.source.none.fl_str_mv |
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1989;01(01):269-271 reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN) instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales instacron:UBA-FCEN |
| reponame_str |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
| collection |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
| instname_str |
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
| instacron_str |
UBA-FCEN |
| institution |
UBA-FCEN |
| repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
| repository.mail.fl_str_mv |
ana@bl.fcen.uba.ar |
| _version_ |
1847418709272952832 |
| score |
13.10058 |