Dependencia del gradiente de campo eléctrico con la temperatura en óxidos con la estructura bixbita

Autores
Shitu, Jorge Alejandro; Pasquevich, Alberto Felipe
Año de publicación
1993
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se presenta un primer informe sobre un estudio realizado para determinar la dependencia del Gradiente de Campo Eléctrico con la Temperatura en óxidos binarios con la estructura bixbita, utilizando como método experimental las Correlaciones Angulares Perturbadas
Fil: Shitu, Jorge Alejandro. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina
Fil: Pasquevich, Alberto Felipe. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):344-346
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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