Darriba, G. N., Rentería, M., & Vianden, R. (2016). “After-effects” in ¹¹¹In(®¹¹¹Cd)-doped Al₂O₃ semiconductor: A modelization from first principles. Web
Citación estilo ChicagoDarriba, Germán Nicolás, Mario Rentería, and R. Vianden. “After-effects” in ¹¹¹In(®¹¹¹Cd)-doped Al₂O₃ Semiconductor: A Modelization From First Principles. 2016.
Cita MLADarriba, Germán Nicolás, Mario Rentería, and R. Vianden. “After-effects” in ¹¹¹In(®¹¹¹Cd)-doped Al₂O₃ Semiconductor: A Modelization From First Principles. 2016.
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