Salvatierra, L. M., Kovalevski, L. I., Dammig Quiña, P. L., Irurzun, I. M., & Mola, E. E. (2012). Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT. Web
Citación estilo ChicagoSalvatierra, Lucas Matías, Laura Inés Kovalevski, Pablo Leandro Dammig Quiña, Isabel María Irurzun, and Eduardo Elías Mola. Comportamiento Mecánico Y Eléctrico De Un Gel De Silicona Empleado En El Encapsulamiento De Transistores De Potencia Tipo IGBT. 2012.
Cita MLASalvatierra, Lucas Matías, et al. Comportamiento Mecánico Y Eléctrico De Un Gel De Silicona Empleado En El Encapsulamiento De Transistores De Potencia Tipo IGBT. 2012.
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