Uv photoresponse of ZnO films measured over long periods - Bojorge, Claudia Daniela (2021)
El ZnO es un material semiconductor tipo n con una alta energía de ligadura excitónica (60 meV) y un bandgap directo de 3,37 eV. Esta última característica hace que se lo considere un material fotoconductivo, apto para la detección UV. La fotoconductividad es una propiedad importante en los sólidos por medio de la cual la conductividad global de la muestra cambia debido a la radiación incidente. En general esta propiedad es un proceso complejo que incluye la generación y recombinación de portadores de carga y su transporte a los electrodos. En el caso del ZnO, la interpretación de la fotoconductividad resulta particularmente dificultosa por el hecho que, además de los mencionados, ocurren simultáneamente otros procesos, entre ellos la absorción y desorción de oxígeno sobre la superficie. En el presente trabajo se estudió la fotorespuesta de films de ZnO nanoestructurados obtenidos por el método de sol-gel y depositados por spin-coating, para tiempos largos de exposición a la radiación o en oscuridad. En los gráficos obtenidos de resistencia vs. tiempo se observa que, tanto en el pasaje desde la oscuridad hacia la iluminación UV, como a la inversa, hay un efecto de cambio de tendencia en el comportamiento de la curva luego de un período de horas. La mayoría de los trabajos existentes en literatura se relacionan con las características de dispositivos detectores de UV en tiempos muy breves de exposición-oscuridad (no mayores a algunos minutos). En los trabajos existentes con mediciones a tiempos largos no se hace mención a este comportamiento. Se discuten posibles mecanismos involucrados.