Determinación de la densidad de defectos en el gap de semiconductores en película delgada por técnicas de modulación de fotoconductividad - Dussan Cuenca, Anderson (2001)
Se presenta un estudio de la DOS de semiconductores en película delgada a partir del Método de la Fotocorriente Modulada (MPC). Se utilizó como fuente de luz un láser de HeNe de 10mW modulando 12.5% en intensidad mediante un modulador electro-óptico. Se realizaron mediciones sobre muestras de a-Si:H y µc-Si:H, para altas (G=1021cm-3s-1) y bajas (G=1019cm-3s-1) intensidades de luz. Se obtienen, mediante un "Lock-in", valores de la fotocorriente modulada y el retardo de fase en función de la frecuencia. Se muestra que los tiempos de recombinación de portadores se pueden inferir de medidas de MPC en el límite de bajas frecuencias y altas intensidades. El espectro de la DOS, en la parte superior del "gap", se obtiene a partir de estas mediciones y de mediciones de fotoconductividad. Se comparan estos resultados con los obtenidos a través de otros métodos observándose una buena concordancia entre ellos. Los resultados alcanzados son comparables con los obtenidos por métodos alternativos. Se discuten ventajas y limitaciones del método propuesto para la determinación de la DOS.