Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of tin oxide films

Autores
Castro, Miriam Susana; Suarez, Maria Patricia; Aldao, Celso Manuel
Año de publicación
2001
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
SnO2 thick films have been studied with scanning tunneling microscopy and spectroscopy. Topographic images revealed grains with an average diameter of about 100 nm and roughness of 50 nm. Tunneling current-voltage characteristics measured indicate that these small grains present a non rectifying behavior. Temperature dependence of electrical conductivity during heating and cooling and resistivity transients at step isothermal changes in oxygen pressure were also investigated. Results are consistent with those of STM and confirm that oxygen adsorption and diffusion into the tin oxide grain account for the observed conductance changes.
Fil: Castro, Miriam Susana. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
Fil: Suarez, Maria Patricia. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
Fil: Aldao, Celso Manuel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
Materia
Defects
Electrical Properties
Films
Grain Boundaries
Sensors
Sno2
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
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Acceder
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description SnO2 thick films have been studied with scanning tunneling microscopy and spectroscopy. Topographic images revealed grains with an average diameter of about 100 nm and roughness of 50 nm. Tunneling current-voltage characteristics measured indicate that these small grains present a non rectifying behavior. Temperature dependence of electrical conductivity during heating and cooling and resistivity transients at step isothermal changes in oxygen pressure were also investigated. Results are consistent with those of STM and confirm that oxygen adsorption and diffusion into the tin oxide grain account for the observed conductance changes.
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