Disclosing the nature of vacancy defects in α-Ag2WO4

Autores
Assis, M.; Castro, Miriam Susana; Aldao, Celso Manuel; Buono, Camila; Ortega, P. P.; Teodoro, M. D.; Andrés, J.; Gouveia, A. F.; Simões, A. Z.; Longo, E.; Macchi, Carlos Eugenio; Somoza, Alberto Horacio; Moura, Francisco José; Ponce, Miguel Adolfo
Año de publicación
2023
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Defects at semiconductors with electron acceptor and donor sites govern the electronic and optoelectronic applications due to their unique electronic properties. This work provides deep insight into the nature of defects and the conduction mechanism in α-Ag2WO4. To this aim, a detailed analysis of the results of XRD with Rietveld refinements, FE-SEM images, and measurements of different spectroscopies (impedance, positron annihilation lifetime, and photoluminescence) are carried out on α-Ag2WO4 samples synthesized by a simple co-precipitation method. Two types of vacancy defects: cationic O-vacancies, and anionic Ag or Ag–O vacancy complexes are elucidated with a Schottky p-type potential barrier. The results indicate that the Ag vacancies remain constant during thermal treatment, while an opposite effect is found for the oxygen vacancies. This behavior governs the multifunctional properties of α-Ag2WO4 semiconductors via a tunneling plus thermionic conduction mechanism.
Fil: Assis, M.. Universidade Federal do São Carlos; Brasil
Fil: Castro, Miriam Susana. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
Fil: Aldao, Celso Manuel. Universidad Nacional de Mar del Plata; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones Científicas y Tecnológicas en Electrónica. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones Científicas y Tecnológicas en Electrónica; Argentina
Fil: Buono, Camila. Universidad Nacional de Mar del Plata; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
Fil: Ortega, P. P.. Universidade Federal de Sao Paulo; Brasil
Fil: Teodoro, M. D.. Universidade Federal do São Carlos; Brasil
Fil: Andrés, J.. Universitat Jaume I; España
Fil: Gouveia, A. F.. Universitat Jaume I; España
Fil: Simões, A. Z.. Universidade Federal de Sao Paulo; Brasil
Fil: Longo, E.. Universidade Federal do São Carlos; Brasil
Fil: Macchi, Carlos Eugenio. Universidad Nacional del Centro de la Provincia de Buenos Aires; Argentina
Fil: Somoza, Alberto Horacio. Universidad Nacional del Centro de la Provincia de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física de Materiales; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Moura, Francisco José. Universidad Nacional del Centro de la Provincia de Buenos Aires; Argentina
Fil: Ponce, Miguel Adolfo. Universidad Nacional del Centro de la Provincia de Buenos Aires; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
Materia
Vacancias
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Semiconductores
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Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
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Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
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