Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavities
- Autores
- Villafañe, Viviana Daniela; Sesin, Pablo Ezequiel; Soubelet, Pedro Ignacio; Anguiano, Sebastian; Bruchhausen, Axel Emerico; Rozas, Guillermo; Gomez Carbonell, C.; Lemaître, A.; Fainstein, Alejandro
- Año de publicación
- 2018
- Idioma
- inglés
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- Radiation pressure, electrostriction, and photothermal forces have been investigated to evidence backaction, nonlinearities, and quantum phenomena in cavity optomechanics. We show here through a detailed study of the relative intensity of the cavity mechanical modes observed when exciting with pulsed lasers close to the GaAs optical gap that optoelectronic forces involving real carrier excitation and deformation potential interaction are the strongest mechanism of light-to-sound transduction in semiconductor GaAs/AlAs distributed Bragg reflector optomechanical resonators. We demonstrate that the ultrafast spatial redistribution of the photoexcited carriers in microcavities with massive GaAs spacers leads to an enhanced coupling to the fundamental 20-GHz vertically polarized mechanical breathing mode. The carrier diffusion along the growth axis of the device can be enhanced by increasing the laser power, or limited by embedding GaAs quantum wells in the cavity spacer, a strategy used here to prove and engineer the optoelectronic forces in phonon generation with real carriers. The wavelength dependence of the observed phenomena provide further proof of the role of optoelectronic forces. The optical forces associated with the different intervening mechanisms and their relevance for dynamical backaction in optomechanics are evaluated using finite-element methods. The results presented open the path to the study of hitherto seldom investigated dynamical backaction in optomechanical solid-state resonators in the presence of optoelectronic forces.
Fil: Villafañe, Viviana Daniela. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina
Fil: Sesin, Pablo Ezequiel. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina
Fil: Soubelet, Pedro Ignacio. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina
Fil: Anguiano, Sebastian. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina
Fil: Bruchhausen, Axel Emerico. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina
Fil: Rozas, Guillermo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina
Fil: Gomez Carbonell, C.. Université Paris Sud; Francia
Fil: Lemaître, A.. Université Paris Sud; Francia
Fil: Fainstein, Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina - Materia
-
OPTOELECTRONIC
OPTOMECHANICS
SEMICONDUCTOR
MICROCAVITY - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
- Repositorio
- Institución
- Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
- OAI Identificador
- oai:ri.conicet.gov.ar:11336/112449
Ver los metadatos del registro completo
id |
CONICETDig_88faf401a2a2f9fc16d44954827f707d |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/112449 |
network_acronym_str |
CONICETDig |
repository_id_str |
3498 |
network_name_str |
CONICET Digital (CONICET) |
spelling |
Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavitiesVillafañe, Viviana DanielaSesin, Pablo EzequielSoubelet, Pedro IgnacioAnguiano, SebastianBruchhausen, Axel EmericoRozas, GuillermoGomez Carbonell, C.Lemaître, A.Fainstein, AlejandroOPTOELECTRONICOPTOMECHANICSSEMICONDUCTORMICROCAVITYhttps://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1Radiation pressure, electrostriction, and photothermal forces have been investigated to evidence backaction, nonlinearities, and quantum phenomena in cavity optomechanics. We show here through a detailed study of the relative intensity of the cavity mechanical modes observed when exciting with pulsed lasers close to the GaAs optical gap that optoelectronic forces involving real carrier excitation and deformation potential interaction are the strongest mechanism of light-to-sound transduction in semiconductor GaAs/AlAs distributed Bragg reflector optomechanical resonators. We demonstrate that the ultrafast spatial redistribution of the photoexcited carriers in microcavities with massive GaAs spacers leads to an enhanced coupling to the fundamental 20-GHz vertically polarized mechanical breathing mode. The carrier diffusion along the growth axis of the device can be enhanced by increasing the laser power, or limited by embedding GaAs quantum wells in the cavity spacer, a strategy used here to prove and engineer the optoelectronic forces in phonon generation with real carriers. The wavelength dependence of the observed phenomena provide further proof of the role of optoelectronic forces. The optical forces associated with the different intervening mechanisms and their relevance for dynamical backaction in optomechanics are evaluated using finite-element methods. The results presented open the path to the study of hitherto seldom investigated dynamical backaction in optomechanical solid-state resonators in the presence of optoelectronic forces.Fil: Villafañe, Viviana Daniela. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; ArgentinaFil: Sesin, Pablo Ezequiel. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; ArgentinaFil: Soubelet, Pedro Ignacio. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; ArgentinaFil: Anguiano, Sebastian. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; ArgentinaFil: Bruchhausen, Axel Emerico. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Rozas, Guillermo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; ArgentinaFil: Gomez Carbonell, C.. Université Paris Sud; FranciaFil: Lemaître, A.. Université Paris Sud; FranciaFil: Fainstein, Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; ArgentinaAmerican Physical Society2018-05info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/112449Villafañe, Viviana Daniela; Sesin, Pablo Ezequiel; Soubelet, Pedro Ignacio; Anguiano, Sebastian; Bruchhausen, Axel Emerico; et al.; Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavities; American Physical Society; Physical Review B; 97; 19; 5-2018; 1-81098-01212469-9969CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://link.aps.org/pdf/10.1103/PhysRevB.97.195306info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1103/PhysRevB.97.195306info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-10T13:15:04Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/112449instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-10 13:15:04.937CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse |
dc.title.none.fl_str_mv |
Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavities |
title |
Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavities |
spellingShingle |
Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavities Villafañe, Viviana Daniela OPTOELECTRONIC OPTOMECHANICS SEMICONDUCTOR MICROCAVITY |
title_short |
Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavities |
title_full |
Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavities |
title_fullStr |
Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavities |
title_full_unstemmed |
Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavities |
title_sort |
Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavities |
dc.creator.none.fl_str_mv |
Villafañe, Viviana Daniela Sesin, Pablo Ezequiel Soubelet, Pedro Ignacio Anguiano, Sebastian Bruchhausen, Axel Emerico Rozas, Guillermo Gomez Carbonell, C. Lemaître, A. Fainstein, Alejandro |
author |
Villafañe, Viviana Daniela |
author_facet |
Villafañe, Viviana Daniela Sesin, Pablo Ezequiel Soubelet, Pedro Ignacio Anguiano, Sebastian Bruchhausen, Axel Emerico Rozas, Guillermo Gomez Carbonell, C. Lemaître, A. Fainstein, Alejandro |
author_role |
author |
author2 |
Sesin, Pablo Ezequiel Soubelet, Pedro Ignacio Anguiano, Sebastian Bruchhausen, Axel Emerico Rozas, Guillermo Gomez Carbonell, C. Lemaître, A. Fainstein, Alejandro |
author2_role |
author author author author author author author author |
dc.subject.none.fl_str_mv |
OPTOELECTRONIC OPTOMECHANICS SEMICONDUCTOR MICROCAVITY |
topic |
OPTOELECTRONIC OPTOMECHANICS SEMICONDUCTOR MICROCAVITY |
purl_subject.fl_str_mv |
https://purl.org/becyt/ford/1.3 https://purl.org/becyt/ford/1 |
dc.description.none.fl_txt_mv |
Radiation pressure, electrostriction, and photothermal forces have been investigated to evidence backaction, nonlinearities, and quantum phenomena in cavity optomechanics. We show here through a detailed study of the relative intensity of the cavity mechanical modes observed when exciting with pulsed lasers close to the GaAs optical gap that optoelectronic forces involving real carrier excitation and deformation potential interaction are the strongest mechanism of light-to-sound transduction in semiconductor GaAs/AlAs distributed Bragg reflector optomechanical resonators. We demonstrate that the ultrafast spatial redistribution of the photoexcited carriers in microcavities with massive GaAs spacers leads to an enhanced coupling to the fundamental 20-GHz vertically polarized mechanical breathing mode. The carrier diffusion along the growth axis of the device can be enhanced by increasing the laser power, or limited by embedding GaAs quantum wells in the cavity spacer, a strategy used here to prove and engineer the optoelectronic forces in phonon generation with real carriers. The wavelength dependence of the observed phenomena provide further proof of the role of optoelectronic forces. The optical forces associated with the different intervening mechanisms and their relevance for dynamical backaction in optomechanics are evaluated using finite-element methods. The results presented open the path to the study of hitherto seldom investigated dynamical backaction in optomechanical solid-state resonators in the presence of optoelectronic forces. Fil: Villafañe, Viviana Daniela. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina Fil: Sesin, Pablo Ezequiel. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina Fil: Soubelet, Pedro Ignacio. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina Fil: Anguiano, Sebastian. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina Fil: Bruchhausen, Axel Emerico. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina Fil: Rozas, Guillermo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina Fil: Gomez Carbonell, C.. Université Paris Sud; Francia Fil: Lemaître, A.. Université Paris Sud; Francia Fil: Fainstein, Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina |
description |
Radiation pressure, electrostriction, and photothermal forces have been investigated to evidence backaction, nonlinearities, and quantum phenomena in cavity optomechanics. We show here through a detailed study of the relative intensity of the cavity mechanical modes observed when exciting with pulsed lasers close to the GaAs optical gap that optoelectronic forces involving real carrier excitation and deformation potential interaction are the strongest mechanism of light-to-sound transduction in semiconductor GaAs/AlAs distributed Bragg reflector optomechanical resonators. We demonstrate that the ultrafast spatial redistribution of the photoexcited carriers in microcavities with massive GaAs spacers leads to an enhanced coupling to the fundamental 20-GHz vertically polarized mechanical breathing mode. The carrier diffusion along the growth axis of the device can be enhanced by increasing the laser power, or limited by embedding GaAs quantum wells in the cavity spacer, a strategy used here to prove and engineer the optoelectronic forces in phonon generation with real carriers. The wavelength dependence of the observed phenomena provide further proof of the role of optoelectronic forces. The optical forces associated with the different intervening mechanisms and their relevance for dynamical backaction in optomechanics are evaluated using finite-element methods. The results presented open the path to the study of hitherto seldom investigated dynamical backaction in optomechanical solid-state resonators in the presence of optoelectronic forces. |
publishDate |
2018 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2018-05 |
dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:ar-repo/semantics/articulo |
format |
article |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.none.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/11336/112449 Villafañe, Viviana Daniela; Sesin, Pablo Ezequiel; Soubelet, Pedro Ignacio; Anguiano, Sebastian; Bruchhausen, Axel Emerico; et al.; Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavities; American Physical Society; Physical Review B; 97; 19; 5-2018; 1-8 1098-0121 2469-9969 CONICET Digital CONICET |
url |
http://hdl.handle.net/11336/112449 |
identifier_str_mv |
Villafañe, Viviana Daniela; Sesin, Pablo Ezequiel; Soubelet, Pedro Ignacio; Anguiano, Sebastian; Bruchhausen, Axel Emerico; et al.; Optoelectronic forces with quantum wells for cavity optomechanics in GaAs/AlAs semiconductor microcavities; American Physical Society; Physical Review B; 97; 19; 5-2018; 1-8 1098-0121 2469-9969 CONICET Digital CONICET |
dc.language.none.fl_str_mv |
eng |
language |
eng |
dc.relation.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://link.aps.org/pdf/10.1103/PhysRevB.97.195306 info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1103/PhysRevB.97.195306 |
dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
rights_invalid_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
American Physical Society |
publisher.none.fl_str_mv |
American Physical Society |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:CONICET Digital (CONICET) instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
reponame_str |
CONICET Digital (CONICET) |
collection |
CONICET Digital (CONICET) |
instname_str |
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.name.fl_str_mv |
CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.mail.fl_str_mv |
dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar |
_version_ |
1842980810268868608 |
score |
12.993085 |