Dinámica de clusters de vacancias en silicio

Autores
Smetniansky-De Grande, N.; Alurralde, Martín; Fernández, Julián Roberto
Año de publicación
2007
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos se debe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones.
The vacancy cluster dynamics in Silicon is studied, in a continuum approximation, using computational models. The model assumes that vacancies, created under thermal activation or under irradiation, migrate and recombine creating clusters and that the dimensional changes of these clusters are due to the absorption or emission of one vacancy. The temporal evolution of the cluster size distribution and its dependence on irradiation and temperature are analyzed. The results show that even at relatively low temperatures (100°C) and low irradiation values, vacancy clustering is enhanced under proton irradiation
Fil: Smetniansky-De Grande, N.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina
Fil: Alurralde, Martín. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina
Fil: Fernández, Julián Roberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes.(CAC-CNEA-CONICET). Departamento de Materiales. Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):141-145
Materia
DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS
DEFECTOS PUNTUALES
SIMULACION POR COMPUTADORA
SILICIO
VACANCY CLUSTER DYNAMICS
POINT DEFECTS
COMPUTER SIMULATION
SILICON
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v19_n01_p141

id BDUBAFCEN_c5a628289efc61cc7cebbfe3eac8c5b4
oai_identifier_str afa:afa_v19_n01_p141
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Dinámica de clusters de vacancias en silicioVacancy cluster dynamics in siliconSmetniansky-De Grande, N.Alurralde, MartínFernández, Julián RobertoDINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIASDEFECTOS PUNTUALESSIMULACION POR COMPUTADORASILICIOVACANCY CLUSTER DYNAMICSPOINT DEFECTSCOMPUTER SIMULATIONSILICONSe estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos se debe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones.The vacancy cluster dynamics in Silicon is studied, in a continuum approximation, using computational models. The model assumes that vacancies, created under thermal activation or under irradiation, migrate and recombine creating clusters and that the dimensional changes of these clusters are due to the absorption or emission of one vacancy. The temporal evolution of the cluster size distribution and its dependence on irradiation and temperature are analyzed. The results show that even at relatively low temperatures (100°C) and low irradiation values, vacancy clustering is enhanced under proton irradiationFil: Smetniansky-De Grande, N.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. ArgentinaFil: Alurralde, Martín. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. ArgentinaFil: Fernández, Julián Roberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes.(CAC-CNEA-CONICET). Departamento de Materiales. Buenos Aires. ArgentinaAsociación Física Argentina2007info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p141An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):141-145reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-29T13:40:38Zafa:afa_v19_n01_p141Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-29 13:40:39.724Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Dinámica de clusters de vacancias en silicio
Vacancy cluster dynamics in silicon
title Dinámica de clusters de vacancias en silicio
spellingShingle Dinámica de clusters de vacancias en silicio
Smetniansky-De Grande, N.
DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS
DEFECTOS PUNTUALES
SIMULACION POR COMPUTADORA
SILICIO
VACANCY CLUSTER DYNAMICS
POINT DEFECTS
COMPUTER SIMULATION
SILICON
title_short Dinámica de clusters de vacancias en silicio
title_full Dinámica de clusters de vacancias en silicio
title_fullStr Dinámica de clusters de vacancias en silicio
title_full_unstemmed Dinámica de clusters de vacancias en silicio
title_sort Dinámica de clusters de vacancias en silicio
dc.creator.none.fl_str_mv Smetniansky-De Grande, N.
Alurralde, Martín
Fernández, Julián Roberto
author Smetniansky-De Grande, N.
author_facet Smetniansky-De Grande, N.
Alurralde, Martín
Fernández, Julián Roberto
author_role author
author2 Alurralde, Martín
Fernández, Julián Roberto
author2_role author
author
dc.subject.none.fl_str_mv DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS
DEFECTOS PUNTUALES
SIMULACION POR COMPUTADORA
SILICIO
VACANCY CLUSTER DYNAMICS
POINT DEFECTS
COMPUTER SIMULATION
SILICON
topic DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS
DEFECTOS PUNTUALES
SIMULACION POR COMPUTADORA
SILICIO
VACANCY CLUSTER DYNAMICS
POINT DEFECTS
COMPUTER SIMULATION
SILICON
dc.description.none.fl_txt_mv Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos se debe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones.
The vacancy cluster dynamics in Silicon is studied, in a continuum approximation, using computational models. The model assumes that vacancies, created under thermal activation or under irradiation, migrate and recombine creating clusters and that the dimensional changes of these clusters are due to the absorption or emission of one vacancy. The temporal evolution of the cluster size distribution and its dependence on irradiation and temperature are analyzed. The results show that even at relatively low temperatures (100°C) and low irradiation values, vacancy clustering is enhanced under proton irradiation
Fil: Smetniansky-De Grande, N.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina
Fil: Alurralde, Martín. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina
Fil: Fernández, Julián Roberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes.(CAC-CNEA-CONICET). Departamento de Materiales. Buenos Aires. Argentina
description Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos se debe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones.
publishDate 2007
dc.date.none.fl_str_mv 2007
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p141
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p141
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):141-145
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1844618690876669952
score 12.891075