Dinámica de clusters de vacancias en silicio
- Autores
- Smetniansky-De Grande, N.; Alurralde, Martín; Fernández, Julián Roberto
- Año de publicación
- 2007
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos se debe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones.
The vacancy cluster dynamics in Silicon is studied, in a continuum approximation, using computational models. The model assumes that vacancies, created under thermal activation or under irradiation, migrate and recombine creating clusters and that the dimensional changes of these clusters are due to the absorption or emission of one vacancy. The temporal evolution of the cluster size distribution and its dependence on irradiation and temperature are analyzed. The results show that even at relatively low temperatures (100°C) and low irradiation values, vacancy clustering is enhanced under proton irradiation
Fil: Smetniansky-De Grande, N.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina
Fil: Alurralde, Martín. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina
Fil: Fernández, Julián Roberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes.(CAC-CNEA-CONICET). Departamento de Materiales. Buenos Aires. Argentina - Fuente
- An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):141-145
- Materia
-
DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS
DEFECTOS PUNTUALES
SIMULACION POR COMPUTADORA
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VACANCY CLUSTER DYNAMICS
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SILICON - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
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- Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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Dinámica de clusters de vacancias en silicioVacancy cluster dynamics in siliconSmetniansky-De Grande, N.Alurralde, MartínFernández, Julián RobertoDINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIASDEFECTOS PUNTUALESSIMULACION POR COMPUTADORASILICIOVACANCY CLUSTER DYNAMICSPOINT DEFECTSCOMPUTER SIMULATIONSILICONSe estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos se debe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones.The vacancy cluster dynamics in Silicon is studied, in a continuum approximation, using computational models. The model assumes that vacancies, created under thermal activation or under irradiation, migrate and recombine creating clusters and that the dimensional changes of these clusters are due to the absorption or emission of one vacancy. The temporal evolution of the cluster size distribution and its dependence on irradiation and temperature are analyzed. The results show that even at relatively low temperatures (100°C) and low irradiation values, vacancy clustering is enhanced under proton irradiationFil: Smetniansky-De Grande, N.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. ArgentinaFil: Alurralde, Martín. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. ArgentinaFil: Fernández, Julián Roberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes.(CAC-CNEA-CONICET). Departamento de Materiales. Buenos Aires. ArgentinaAsociación Física Argentina2007info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p141An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):141-145reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-29T13:40:38Zafa:afa_v19_n01_p141Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-29 13:40:39.724Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse |
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