Un estudio con espectroscopía Raman de películas delgadas de silicio microcristalino dopado tipo p - Concari, Sonia Beatriz (1999)
Se estudian las propiedades estructurales, ópticas y eléctricas de películas delgadas microcristalinas de silicio tipo p, depositadas a muy baja temperatura en función de la concentración de diborano en los gases de reacción y de la naturaleza del sustrato. Las películas fueron depositadas sobre vidrio corning 7059, acero inoxidable y un óxido trasparente conductor (TCO) en un reactor tipo VHF-PECVD, capacitivamente acoplado, empleando como gas de plasma una mezcla de silano altamente diluido con hidrógeno, y diborano. Los espectros de dispersión Raman revelan un claro efecto de la concentración de boro sobre la fracción de cristalinidad, evidenciada por un pico asimétrico alrededor de los 520 cmˉ¹, ajustable por dos picos lorentzianos. Uno de ellos (520 cmˉ¹) se corresponde con la dispersión fonónica en modo transversal óptico (TO) del seno del material y el otro (~ 510 cmˉ¹) es interpretado en términos de una distribución no homogénea de grano o contribución fonónica de superficie intergranular. A pesar de la baja temperatura de deposición, el boro en altas concentraciones induce la formación de cristales (fracción cristalina superior al 90 %), y aún en concentraciones bajas, fracciones cristalinas superiores al 40 %