Estudio de las propiedades superficiales e interfasiales de películas monocristalinas de Hg1-xCdxTe crecidas en fase vapor sobre distintos sustratos - Gilabert, Ulises Eduardo (2007)
Las aleaciones Hg1-xCdxTe, MCT(x), constituyen desde hace más de cuatro décadas los materiales más importantes para la fabricación de fotodetectores de radiación infrarroja sensibles en el intervalo 1–30 μm. El material utilizado para la fabricación de esos dispositivos debe ser monocristalino y, dadas las dificultades encontradas en el crecimiento por métodos masivos, resulta conveniente recurrir a los métodos epitaxiales. En este trabajo se describe la obtención y caracterización de películas monocristalinas de MCT (x ≅ 0,2) por la técnica de Crecimiento Isotérmico en Fase Vapor o “Isothermal Vapor Phase Epitaxy” (ISOVPE). Se utilizaron como sustratos CdTe, Cd1-vZnvTe y CdTe1-wSew con distintas orientaciones cristalinas: (111)Cd, (111)Te, (110) y (100). La caracterización estructural de los sustratos y las películas se realizó mediante revelado químico de dislocaciones, difracción de rayos X de polvo y monocristal y microscopías óptica y electrónica de barrido. La composición química se determinó mediante una microsonda electrónica dispersiva en longitudes de onda y las propiedades eléctricas por mediciones de efecto Hall. Las películas obtenidas resultaron de muy buena calidad y aptas para ser utilizadas en detectores fotovoltaicos. En particular, las epitaxias crecidas sobre los sustratos ternarios mostraron mejor calidad cristalina. Se estudió tanto la cinética de crecimiento como los procesos de generación y movimiento de las dislocaciones de desajuste mediante la contrastación entre los resultados experimentales y diversas simulaciones. En particular, se evaluó la influencia de los aleantes presentes en los sustratos en esos procesos.