Medición de densidades de Cadmio atómico e iónico y temperatura electrónica en un láser de recombinación de He-vapor de Cadmio

Autores
Schinca, D.; Tocho, J.; Mancini, Héctor Luis
Año de publicación
1989
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Un plasma dominado por recombinación electrón- ión es un medio apto para la amplificación y la oscilación de radiación láser en gases nobles y vapores metálicos. Diversos dispositivos han sido probados con tal propósito, desde descargas en arcos a plasmas producidos ópticamente. Nosotros utilizamos una descarga de cátodo hueco en un chorro de He para producir las condiciones necesarias de temperatura y densidad electrónicas a diversas distancias del cátodo hueco y la densidad de átomos e iones de Cadmio por métodos espectroscópicos. Con estos valores se está realizando un modelo que permitirá calcular la ganancia, y compararla con los valores obtenidos experimentalmente
Fil: Schinca, D.. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Centro de Investigaciones Ópticas (CIOP). Buenos Aires. Argentina
Fil: Tocho, J.. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Centro de Investigaciones Ópticas (CIOP). Buenos Aires. Argentina
Fil: Mancini, Héctor Luis. Ministerio de Defensa - CONICET. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Departamento de Investigaciones en Láseres y Aplicaciones (UNIDEF- DEILAP). Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1989;01(01):149-152
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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