Aplicaciones de la microscopía de fuerza atómica al estudio de superficies utilizadas en experimentos de interacción de iones con la materia - Sánchez, Esteban Alejandro (1995)
Se utilizó el microscopio de fuerza atómica para estudiar la topografía de superficies conductoras, semiconductoras y aislantes empleadas en experimentos de interacción de iones con la materia. Se comprobó que los ciclos de recocido alternados con bombardeo rasante de Arᶧ a 20 keV producen superficies de GaAs(110) y Al(111) más planas que la técnica convencional de preparación de muestras monocristalinas. Se comparan estos resultados con mediciones de dispersión de iones y de emisión de electrones Convoy por incidencia rasante de protones. Se midió también la rugosidad de láminas delgadas (≈130 Å) autosoportadas de Au empleadas en experimentos de frenamiento de iones en sólidos. Finalmente se muestran imágenes de daño producido por impacto de CIᶧ a 49 MeV en superficies de mica.